（报告出品方/作者：国金证券，姚遥）
1.1 承上启下，金属化工艺在光伏电池生产制作过程中举足轻重
金属化工艺是指在太阳能电池的正面和背面制作金属电极，为太阳能电池的电流输 出提供通路，通常为光伏电池制作的最后一道工序。这一步骤对电极与硅界面间的接触电 阻和黏结强度有重要的影响，无论在哪种电池技术路线下都必不可少。金属化工艺路线的 优化本质上是为了通过降低浆料单耗/选用低成本材料实现降本，同时兼顾/提高电池的转 换效率和可靠性。
在金属化工艺过程中，银浆通过烧结/固化与电池片正背面粘合，形成电极。电极与 电池 PN 结两端形成欧姆接触，电极由两部分构成，主栅线和细栅线，主栅线负责接连接 电池外部引线，输出电流，细栅线起到电流收集并传递到主线的作用。金属化电极浆料经 过印刷涂抹在硅片上，经烧结/固化后形成电极。 导电浆料是金属化实现的关键材料。由于银的导电性好于大部分金属元素，因此行业 内主要选取银浆作为导电浆料。银浆主要由高纯度的银粉、玻璃氧化物、有机原料等成分 组成，其组成物质的化学价态、品质、含量、形状、微纳米结构等参数均可能对银浆的性 能产生影响。其中：银粉作为导电材料，是正面银浆的主要成分，在原材料成本结构中占 比超 97%；玻璃氧化物用作银浆的传输媒介；有机原料是承载银粉和玻璃氧化物的关键组 成。
1.2 电池技术加速迭代，推动浆料供应差异化
年内新型高效电池技术正式步入产业化元年，TOPCon、HJT、IBC 等电池技术在效率、 成本等方面均有突破。由于不同电池之间对于银浆的需求存在很大差异性，因此银浆产品 也需要顺应新技术的迭代来进行差异化改动，比如温度、配方等。在此背景下，TOPCon 高温银浆、HJT 低温银浆等产品加速放量。 传统 PERC 银浆正面采用高温银浆，背面使用银铝浆。正面银浆起汇集、输出载流子 的作用，对浆料的导电性能要求高。背面银铝浆为电池片提供背面汇流及焊接点，对导电 能力要求相对低。正面银浆国产化程度高，可以基本满足光伏电池的生产要求。 中国正面银浆生产企业经过数十年发展，迅速崛起，市场份额不断提升。根据 CPIA 统计，2021 年国产正面银浆替代达到 61%，帝科股份、苏州固锝、聚和股份三大企业占国 内近一半市场，行业集中度高，预计 2022 年国产正银市场份额将进一步提升。
TOPCon 电池双面均使用纯银浆：目前 TOPCon 用银浆与 PERC 正银都为高温银浆，即 在 500℃以上烧结得到。但基于 TOPCon 引入了不同于 PERC 的多晶硅钝化层，对金属化浆 料也提出了更高的性能要求。
太阳能电池的电学损失包括欧姆损失和复合损失。银浆（金属）与钝化层（半导体） 的接触可以形成欧姆接触，这是一种电阻非常小的接触，因此浆料应该被设计去保证 较宽的欧姆接触窗口，实现更低的接触电阻；但金半接触会促进载流子复合，影响电 池效率。综上，TOPCon 电池用银浆在效率层面需要平衡两个损失的关系。
TOPCon 发电“原动力“——N 型硅片表面硼扩形成 P 型发射极（PN 结）。发射极的轻 度扩散可使电池片获得更高的方阻，提高开路电压、短路电流、转换效率等基本参数。 硼扩的均匀性问题要求银（铝）浆增大 Ag 和 Al 的接触窗口，保证电流输运性能；但 扩散方阻值越高，银浆烧结的均匀性变差，对正面钝化层和 PN 结的损伤加剧。综上， TOPCon 电池用银浆在 PN 结层面需要平衡方阻与损伤的关系。 HJT 电池正背面使用低温纯银浆：HJT 电池结构简单对称，在 N 型硅片的双面用非晶 硅做钝化，再生长透明氧化层（TCO）。基于以上特殊的薄膜结构，HJT 用银浆与 TOPCon 和 PERC 最大的差别就是浆料的烧结温度低（<200℃），也就是俗称的低温银浆。低温银浆的设计重点在于平衡电阻、银含、固化稳定等方面的矛盾。
HJT 电池银浆与透明导电薄膜接触，不再涉及金属与半导体的相互作用，失去欧姆 接触，需要针对不同的透明薄膜材料进行优化匹配，降低接触电阻。
由于低温银浆烧结温度较低，其配方中不能包含玻璃粉，需要用特殊的树脂体系 代替玻璃粉的传输属性，也能使浆料在低温下快速固化成型，满足光伏电池量产 需求。
高温银浆主要通过高温对 Ag 序重排，在烧结过程中降低电极的体电阻。但低温银 浆烧结温度无法支持球形银粉熔融，因此需要通过其他机制降低体电阻，例如改 变银粉形态，调整浆料配方等。
银包铜浆料方案是 HJT 电池实现少银化的重要一步。银包铜用银包覆铜，在保证光电 转换效率的同时减少银的用量。铜与银的电阻率相差不大，但化学性质不稳定，抗氧化能 力差，受环境影响严重；银则存在迁移率低，成本高等问题。银包铜在技术层面可以解决 银的迁移问题，异质结电池的低温工艺可以有效抑制铜的抗氧化问题，在经济层面用铜替 代一部分银，降低了银浆成本。 日本的银包铜技术已经进入量产阶段，KE 公司的浆料含银量可低至 44%，正在向 30% 突破，预计 2023 年将实现国产替代。金刚、华晟计划在今年量产线导入银包铜浆料。
银浆用量快速增长，后期或受限于贵金属属性。随着光伏装机实现快速增长所带动光 伏电池片产能加速扩张，光伏银浆用量逐年增加。根据世界白银协会统计，2016 年全球 光伏银浆耗量2331吨，2021年全球光伏银浆耗量3478吨，近5年年均复合增速为8.33%。 而光伏银浆价格以银点价格为基准，根据不同的银浆种类上浮不同的价格。考虑到未来光 伏装机的高增速与银的贵金属属性相矛盾，后续价格很容易出现波动，从而造成银浆价格 随之上涨。 即使随着技术进步，电池的单位正银用量有所下降，但在未来几年光伏电池 N 型化的 大背景下，纯银浆料的总需求量或仍呈上升趋势，2021 年中国光伏银浆消耗量 3074 吨， 在全球用银占比中接近 12%，考虑到光伏未来几年的高景气度，后续占比将持续提升。因 此，少银化去银化迫在眉睫。
金属化工艺分为接触式和非接触式。接触式金属化是指需要设备与硅片进行接触，制 得电极。目前常用的丝网印刷即属于接触式金属化工艺技术。以丝网印刷为代表，技术改 进主要围绕图形化展开。 丝网印刷分两个环节，电极印刷和烧结。带有栅线形状的网板只有栅线部分能使浆料 穿过，其他部分的小孔都是被堵住的。硅片放置于网板下方，浆料倒至网板上方，使用刮 刀将浆料铺满网板，浆料渗入可通过的孔隙，在硅片上留下图案，即栅线。再通过烧结使 浆料固化在已形成 p-n 结的硅片上，用作电极。
丝网印刷的优化目前主要从材料和设计出发。材料方面，通过银浆国产化、银包铜技 术等降低银浆成本和耗量；设计方面，通过对主、细栅的设计优化，如提高栅线质量、增 加主栅数量、减小细栅宽度等提高电池的转换效率，减少银浆消耗。
降本路径 1：钢版印刷
常规丝网印刷使用的是网版由钢丝织成，通过在网纱上根据相应位置设计涂敷乳胶， 实现印刷。但在印刷过程中，由于丝网开口率普遍低于 75%，细栅部分不可避免地会受到 钢丝网的遮挡。 钢版印刷使用高清都合金钢片，开口率达 100%，在细栅区域无任何遮挡。同时，钢 版寿命长，制作简单，对栅线形状的保持能力也更佳。根据 2022 年华晟发布会披露，华晟 M6 版型异质结电池使用单面钢版印刷，可使单瓦银耗降低 15mg；使用双面钢版印刷， 预计可降低单耗 25~30mg。
降本路径 2：多主栅技术
2010 年起光伏电池栅线设计朝着增加主栅数量和减小栅线宽度的方向发展，基本逻 辑是在印刷端通过减少银浆用量降低成本。多主栅技术从 2BB 一路发展到近几年的 MBB， 以及目前出现了在 MBB 基础上发展的 SMBB 技术、无主栅技术等。
2BB 到 MBB 的设计优化，体现在主栅数量及宽度的变化，一方面减少了银浆用量；另 一方面缩短了电流的传导距离，电阻损耗减少，使电池效率得到提高。MBB 技术的推出， 迅速抢占市场，得到广泛应用。根据 CPIA 统计，2021 年 9BB 及以上技术占比高达 89%， 成为主流，未来市占率还将进一步提升。SMBB 技术将主栅数增加至 12 及以上，在主栅增 加的同时，配合更细的焊带提高串焊精度、降低主栅 PAD 点面积，减小主栅宽度，降低银 浆耗量，提升转换效率，目前主流厂商 SMBB 主栅数已增加到 16-20，线径降低到 0.26mm。
为进一步去银降本，市场研发方向朝无主栅技术推进，即采用铜丝焊带替代原有银主 栅直接汇集细栅电流，并实现电池片之间的互连。根据焊带与电池片互连方式不同，目前 可将无主栅技术分为 SmartWire 方案和点胶焊接方案。SmartWire 方案通过层压复合物薄 膜实现铜栅线和细栅的互连，最早由瑞士光伏设备企业 Meyer Burger 于 2012 年应用，该 种技术并不是没有主栅，而是将主栅数量增加到 18 条以上，同时可以做得更细更薄。主 栅直接链接到相邻电池的背面，代替了传统焊带的角色，在汇流同时实现电池互联，不再 是传统意义上的主栅。SmartWire 技术中的主栅材料多为铜线，可降低电池片银耗近 80%。 除 Meyer Burger 外，德国 Schmid、美国 GT 公司也推出了自己的无主栅技术，路线与 SmartWire 类似。 由于 SmartWire 专利限制，国产设备厂商主推点胶焊接无主栅方案。点胶焊接方案无 需复合物薄膜，而是通过点胶体连接焊带与电池片，细栅与焊带直接接触相连，采用密集 多焊丝设计，增加细栅线与焊丝的接触点，银浆单耗可降低 50%以上。2022 年以来我国无 主栅产业化节奏加快，电池/组件方面，东方日升、爱康科技陆续推出 0BB 电池/组件，设 备方面，奥特维/迈为/先导智能无主栅设备已进入到中试和验证阶段。
非接触式金属化指硅片与设备不发生接触制得电极，如激光转印、铜电镀等。非接触 式相比接触式金属化，更能节省银浆用量，降低成本。
3.1 激光转印为较为成熟的非接触式金属化工艺，有望小规模放量
激光图形转印技术（Pattern Transfer Printing，PTP）最早来自以色列 Utilight 公司，并取得全球专利。2020 年成为帝尔激光的全资子公司，主营激光技术的研发，以 寻求与以色列激光高科技技术和团队展开全面合作。帝尔激光转印已在 PERC 产线上已完 成论证， TOPCon 的实验论证也在进行中，公司致力于提供激光转印整线解决方案，前后 道工序均由公司独立研发进行。 激光转印技术采用激光图形化扫描，将浆料从柔性透光材料转移至电池表面，从而形 成栅线。具体包括浆料填充和转移两大工艺步骤：1）将浆料填充至刻有沟槽的银浆载板 上，沟槽为所需栅线形状；2）银浆载板倒置于电池片正上面，激光照射载板背面，利用 激光能量高的特点，汽化浆料，掉落在电池片表面。激光转印适用于所有电池技术，也适 用于所有类型的浆料（低高温银浆、铜浆、银包铜等）。
站在当下时点，激光转印的主要优势在于：1）栅线更细，浆料节省更多；2）印刷高 度一致性、均匀性好，低温银浆同样适用；3）可以兼容不同的电池工艺和电池结构，提 高电性能；4）非接触式印刷更能保证硅片在生产过程中的完整性，降低破片率，满足未 来薄片化趋势。 激光转印技术也具有明显的技术壁垒。现阶段如何更好地匹配不同浆料与激光功率之 间的关系仍需要一定时间的摸索。激光功率过低，不利于浆料与载板分离，顺利落下；激 光功率过高，浆料汽化过度反而容易改变载板形状，增大栅线线宽。此外，转印膜寿命、 后续污染处理问题，也尚处在突破阶段。
2022 年 9 月，帝尔激光宣布激光转印订单首台设备正式出货，标志着光伏电池激光 转印技术开发取得关键进展，激光转印设备正式由中试验证进入量产阶段。公司前期已有 激光转印设备在 3 家公司交付单线或整线量产验证设备，适配 PERC、TOPCon、HJT、IBC 等多种电池工艺路线。
3.2 电镀工艺或为下一代金属化环节主流工艺，产业化步伐持续加快
电镀铜是降本增效的双优化路径。从栅线成分角度，铜电镀得到的栅线为纯铜，电阻 率约为 2uΩ·cm，丝网印刷技术使用的银浆由于掺杂了有机物，栅线电阻率大幅增加至约 5uΩ·cm，因此铜栅线的电流输运效率更高。从工艺角度，电镀铜采用图形化技术，相比 丝网印刷，可以实现更低的线宽，减小遮光面积，提高效率。从成本角度，金属原材料银 价比铜价高出 2 个数量级，用铜栅线替换银栅线能够大幅度降本，对异质结电池技术落地 尤有吸引力。
电镀技术基于氧化还原反应，遵循法拉第电解定律。电镀溶液通电后，其中的金属阳 离子受电位差的作用而移动到电池表面的导电固体，沉积形成金属镀层。在电镀铜过程中， 电镀液里的铜离子（Cu2+）还原覆盖至阴极表面，阳极的铜单质氧化以补充电解液中的 Cu2+， 铜离子氧化还原析出量与通过的电量成正比。
铜的电镀使用五水硫酸铜作为主要电镀液原料，在工业应用中，电解液里还会有酸 （H2SO4）、氯离子和添加剂。辅助剂用以提高阴极铜沉淀时的分布均匀性；光亮剂用以提 高铜的沉积速率；氯离子可以提高添加剂在阴极铜上的吸附能力，使添加剂更高效地发挥 作用。硫酸铜电镀的阳极使用含磷的铜球，电解产生的阳极黑膜（磷化铜 Cu3P2）具有金 属导电性，保证电镀铜的质量和工艺稳定性。
铜极易与空气中的水、氧气、二氧化碳发生反应生成铜绿（Cu2(OH)2CO3），铜绿的导 电性很差，会增加栅线电阻，降低电流输出效率，因此铜电镀后会继续在栅线表面镀微米 级厚度的锡。常温空气中，锡表面会生成一层致密的氧化膜阻止锡继续氧化，因此镀锡铜 的耐蚀性和可靠性将大幅提高。工业应用中镀锡环节的主流工艺分电镀和化学镀，电镀通 过外部电源实现电位差；化学镀通过置换反应实现电位差，无需电镀设备。
3.2.1 铜电镀图形化设备及工艺详解
丝网印刷本质上是图形化和金属化集成的技术，而铜电镀则将图形化和金属化分开。 电镀工艺只负责金属化，必须在前端搭配图形化工艺。图形化也就是俗称的光刻，是先在 硅片上涂敷一层干膜或者湿膜，将带有所需图形的掩模版覆于硅片上方，曝光后，油墨或 胶受光分解，在显影液中脱落，完成图形转移。目前行业内在图形化工序之前，必须先镀 一层铜的种子层：一是在满足电镀铜过程中的导电需要；二是增强电极与透明导电薄膜之 间的结合力，防止脱栅。
干膜是一种有机物，俗称光刻胶，在紫外线照射下进行聚合反应形成一种稳定的物质 附着在衬底上，从而阻挡电镀和刻蚀。湿膜即感光油墨，可在紫外光照下固化。干膜易于 操作、稳定；湿膜成本更低，更符合细线化需求。传统的图形化方式有干膜+汞灯、湿膜+ 汞灯的组合，汞灯用于提供曝光所需的紫外光源。
在图像化阶段，无论使用干膜 or 湿膜，曝光都是必不可少的一个步骤，相关光刻设 备也是目前整个电镀铜工艺中研发难度最大、价值量最大的环节。根据是否需要使用掩模 版，可以将光刻分为掩膜光刻和直写光刻。 掩膜光刻即需要掩膜版对图案部分进行保护，经过 PCB 领域的多年发展，目前可分为 接近/接触式光刻、光学投影式光刻。
接近/接触式光刻是最成熟的光刻技术，使用汞灯作为光源，利用电极控制掩模版和 衬底之间的间隙调节接触方式，调整掩模版和衬底相对位置和角度实现对准曝光。相 比接触式对材料和掩模版的污染，接近式中掩模版与衬底保持约 10um 的距离，在保 证材料质量的同时延长了掩模版的使用寿命，但其分辨率较低，工业生产中一般只在 3um 以上不需要高分辨率的情况下使用。
投影式光刻使用汞灯或紫外激光作为光源，采用透镜成像原理，通过光学投影系统， 将图形转移至衬底上，进一步提高了掩模版和基片之间的距离，避免物理接触。这一 原理也使得掩模版和衬底的大小不需要再是 1：1，以此又衍生出步进式光刻。步进 式可适配大尺寸基片，保持透镜尺寸不变，通过调整掩模版和衬底的尺寸比例为 n： 1（n 一般为 4 或 5），再将基片分为几个小区域，先曝光一个区域，结束后通过步进 器只需调整基片位置，使下一个区域对准曝光位置，进行曝光即可。投影式光刻的分 辨率为 0.25m~1um，在精度、产能方面能满足大多数制程需求，是当前的主流光刻技 术之一。
直写光刻将掩膜和曝光结合，不需要掩模版转移图形，用计算机控制的高精度光束聚 焦投影至涂覆有感光材料的基材表面上，直接进行扫描曝光。省去多个环节，节省时间成 本，提高工作效率。根据辐射源的不同，分为带电粒子直写光刻、光学直写光刻。
带电粒子直写光刻的辐射源选用电子束或离子束。高能电子波长短，分辨率高，可用 于纳米尺度的微细结构加工，但电子束发射器成本昂贵，难以精准控制刻蚀深度，需 要先长时间积累高能电子再进行作业，不适合量产需求。离子质量大，可以减小邻近 效应，但穿透深度不够，能量分散，导致分辨率较低。
光学直写光刻主要是指激光直接成像技术（Laser direct imaging，LDI），通过光学 反射原理获得大量激光束同时进行扫描，分辨率 100nm~500nm，且可以实现高速的无 掩膜光刻，图像解析度高，在光伏领域使用，可匹配细线化，提升产品良率，满足量 产需求。
LDI 的核心零部件是 DMD 数字微镜。其主要原理是利用计算机把对应的光刻图案输至 DMD 芯片中，DMD 微镜阵列根据光刻图案调整对应的微镜转角，同时准直光源照射至 DMD 微镜阵列表面，产生与光刻图案相符的光图像，光图像通过投影曝光镜头成像至 基材表面，基材在受控的运动平台上完成多次往返扫描运动和图形拼接，实现任意图 形的高精度光刻。
3.2.2 铜电镀电镀设备及工艺详解
按照电池片悬挂方式分类，目前主要的电镀铜技术包括垂直电镀和水平电镀。 光伏行业的电镀技术承袭自 PCB 电镀铜，垂直电镀技术使用导电性能良好的挂具悬挂 电池板，使其浸没在电镀液中作为阴极。后为适应光伏行业需求，进行了一定的改良，并 衍生出连续垂直电镀。改良后的垂直电镀采用夹点式接触，即挂具和电池板为点接触，减 小了挂具对电池片的遮挡面积。 连续垂直电镀工艺不含去膜和镀/化锡工序，增加对挂具的清洗工序，结构简单，操 作方便；可兼容多种尺寸的电池片；槽体大，液面相对平稳，保障电镀过程稳定。
垂直电镀技术在光伏行业中的应用表现出一些“水土不服“现象：电池片上难以做夹 点；电池片本身太薄，影响碎片率；自动化困难等。在垂直电镀的基础上，水平电镀技术 延伸发展。水平电镀技术使用导电辊将电池板沿平行于电镀液液面方向传送，不需要做夹 点；对电池片尺寸厚度没有要求；电镀均匀性更好；且电镀传送速度快，符合光伏量产需 求。水平电镀技术成为各厂商研究的重点方向，包括太阳井、捷德堡在内，未来有望成为 主流电镀技术。
电镀铜和 HJT 电池的升级逻辑一致。HJT 电池制程简单，工艺成本低，工艺过程中的 效率损失小，实际可实现的光电转换效率更高；电镀铜以纯铜作电极实现去银化，金属导 电率也明显优于引入了有机溶剂的低温银浆/银包铜方案，两者均是从降本和增效的双重 路径进行技术迭代。此外，透明导电层（TCO）的技术发展也使得电镀铜在 HJT 电池制备 中成为更有优势的金属化工艺。
HJT 电池电极直接接触 TCO 层，与 PN 结和载流子输运区域无直接关系，TCO 作为连通 太阳能电池光生伏特效应和输出的重要桥梁，承担着透光和导电的双重作用。
TCO 层的材料选择以低电阻、高透过为基本要求，目前市场上普遍使用氧化铟锡（ITO）。 ITO 通过在氧化铟中掺杂锡制备得到，是透明导电薄膜领域应用较为成熟的材料，但 在光伏应用上存在 3 个明显缺点：1、元素铟资源稀有，价格昂贵；2、铟锡氧化物微 毒，在产业化过程中对人体和环境都会造成危害；3、刻蚀艰难，绒面结构难以实现， 导致光散射能力较差。因此，光伏行业 TCO 去铟化进程更多是在透明导电材料选择上 的迭代，而非 ITO 掺杂成分或含量上的更新。
铝掺杂的氧化锌（AZO）是目前便宜无毒，光电性能可媲美 ITO，在太阳能电池中最 具发展潜力的透明导电材料。虽然 AZO 的电阻率始终比 ITO 大 1 个数量级，但其高透 射率窗口比 ITO 宽，随膜厚变化较小，光学性能更优，在厚度允许的情况下，两者的 品质因子可达到相同数量级，即光电综合性能相当。在 AZO 作为透明导电层的未来， 电镀铜工艺能更好地保证转换效率。
电镀铜工艺降本增效实力强劲，设备成本仍有突破空间。电镀铜金属化环节成本主要 包括设备成本、掩膜成本（假设为低成本湿膜路线）、添加剂成本和其他成本。根据目前 电镀铜产业化进度，我们假设应用于 HJT 电池片的电镀铜前道设备 6000 万元/GW，后道设 备 9000 万元/GW，设备折旧期限为十年。根据调研口径，目前电镀铜湿膜成本约为 0.03 元/w，添加剂成本为 0.02-0.03 元/w，按以上假设，我们测算目前电镀铜环节总成本可达 0.08 元/w，较当前 HJT 浆料单瓦成本节约 4 分钱，与 55 开银包铜路线的降本程度持平。 但考虑到电镀铜环节实际所带来的效率提升，实际成本预计将低于银包铜+0BB 方案。电 镀铜产业化目前仍面临产能不足、良率低、设备及湿膜成本较高等问题，预计后续技术将 继续攻克痛点，设备和湿膜成本有望降低，叠加薄片化等技术为 HJT 工艺带来更大的降本 空间。
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异质结友好型的钙钛矿叠层技术备受认可。基于当前晶硅电池成熟的市场环境和对钙 钛矿可靠性的质疑，钙钛矿/晶硅叠层电池相比纯钙钛矿电池更容易被市场接受。在 N 型 电池新技术中， TOPCon 结构复杂，叠加钙钛矿需要去除绝缘的氧化铝，将氮化硅改为透 光性较差的 TCO，这使得 TOPCon 失去了本身的高电流优势；HJT 结构对称、工艺简洁，本 身结构中的 TCO 层也与钙钛矿适配，因此异质结和钙钛矿的叠层方案更为理想。根据 HJT 对栅线导电率和电池效率的追求，钙钛矿/HJT 叠层电池的正背面栅线工艺也必然走向电 镀铜。 电镀铜同样也是纯钙钛矿电池栅线降本路径。环境对钙钛矿材料长期性的制约使得纯 钙钛矿电池必须表现出远超晶硅的光电转换效率才能获得市场的进一步认可，除了材料本 身的高效率优势外，在电流输运效率也极为关键。考虑到成本和稳定性的需求，单结钙钛 矿电池的 TCO 层材料多选用 FTO，其光电性能相比 ITO 并不具有优势，此时就对栅线的导 电性和稳定性提出了更高的要求，因此电镀铜无疑是纯钙钛矿电池金属化降本的必由之路。
迈为股份：丝网印刷设备领军者，HJT 设备技术开拓者。公司主营太阳能电池丝网印 刷生产线成套设备，构建九宫格产品矩阵，多层次、立体化布局光伏、显示、半导体三大 领域。在 HJT 设备方面，自 2019 年 1 月启动 HJT PECVD 及其配套设备，迈为先后首创性 地研制了第一代产能 200MW、第二代产能 400MW、第三代产能 600MW 的 PECVD 整线设备， 2022 年市占率超过 80%。2022 年 9 月，迈为股份联合澳大利亚金属化技术公司 SunDrive 采用迈为自主创新的可量产微晶设备技术和工艺研制的全尺寸(M6，274.5cm²)N 型晶硅异 质结电池，其转换效率高达 26.41%。该电池片电极由 SunDrive 在其无种子层电镀设备上完成。通过不到一年的技术迭代及工艺优化，双方联合开发的无银异质结电池转换效率屡 次获ISFH认证，从25.54%迅速攀升至26.41%。目前公司在铜电镀技术中有整线方案储备。
苏大维格：纳米压印光刻龙头，横向切入光伏电镀铜及激光转印环节。公司是国内领 先的微纳结构产品制造和技术服务商，相继开发多个系列覆盖纳米级和微米级的光刻机与 压印设备，产品涉及公共安全、新型印材、消费电子新材料等领域。公司近年来切入光伏 设备领域，公司自行开发的光伏铜电镀曝光设备采用了掩模投影曝光的方式，有利于协助 下游厂商的降本增效。目前，公司正在积极与光伏厂商进行深度对接和测试。
芯碁微装：国内直写光刻设备龙头。公司以直写光刻技术展开产品布局，深耕 PCB 及泛半导体领域，是国内少数在光刻技术领域里拥有关键核心技术，并具有全球竞争力的 相关设备供应商。 公司 2021 年切入光伏电镀铜环节， 截至目前，公司已实现了在实验室条件下满足 5 μm 以下线宽的铜栅线曝光需求的直写光刻设备产业化；同时提供量产线实现最小 15μm 的铜栅线直写曝光方案，产能达到 6,000 片/小时、对位精度±10μm，不但可以满足 HJT 的应用，也可满足 XBC 高效电池的高对位要求，并支持 210mm 的整片和双半片光伏电池的 制造。
东威科技：垂直电镀技术代表设备厂商。公司主营业务为高端精密电镀设备，涉及 PCB、五金、动力电池及光伏多个领域，在行业内率先实现 VCP 电镀设备设计标准化、生产流程化和产业规模化。 与国电投达成战略合作，光伏铜电镀产业化进程开启。2023 年 1 月，公司宣布与国 电投签订战略合作框架协议，将于 2023 年 7 月份向国电投提供 1 台铜电镀样机。根据公 司公告，公司第三代垂直连续硅片电镀设备相较于 2022 年初的第二代设备相比，成本更 低、性能更优，产能可达 8000 片/小时。
罗博特科：光伏电池全产业链智能制造，电镀设备成功交付。公司实行新能源光伏+ 泛半导体双主业发展，产品主要应用于光伏电池领域，覆盖制绒到电镀、清洗的完整链条。 2021 年公司开始光伏电池电镀铜技术垂直连续电镀设备的研发，2022 年 12 月公司完成首 台 HJT 电镀设备交付。2023 年 1 月与国电投签订 HJT 电镀铜 VDI 解决方案战略合作框架 协议，有望为公司打开新的业务增长点。
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精选报告来源：【未来智库】。「链接」
